众所周知，目前芯片制造均是采用光刻工艺，而光刻工艺下，光刻胶是非常重要的材料。
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光刻胶是一种具有光敏化学作用的高分子聚合物材料，外观上呈现为胶状液体。涂在硅晶圆上，作为抗刻蚀层保护衬底表面。
当光刻机的光线照射至涂了光刻胶的硅晶圆上时，光刻胶就会发生变化，再经过后续的刻蚀等工序之后，电路图就会留在硅晶圆上了。
所以光刻胶在芯片制造中至关重要，同时光刻胶与芯片的工艺、光刻机的光线也是对应的。
目前从市场来看，光刻胶分为g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种，对应着不同的芯片工艺和光刻机的技术。
具体按照工艺来划分的话，g线、i线主要用于250nm以上工艺，KrF一般用于250nm-130nm工艺，ArF一般用于130nm-14nm，而EUV用于EUV光刻工艺，主要用于7nm以下工艺。
从全球市场来看，光刻胶主要被日本厂商垄断，特别是EUV光刻胶，目前全球仅日本厂商能够生产。
2021年市场数据为：在g线/i线、KrF、ArF、EUV光刻胶市场中，日本企业的市占率分别为61%、80%、93%，100%，总体份额超过75%。
而之前有媒体报道称，韩国厂商被日本卡脖子后，奋发图强，也能够生产EUV光刻胶了，但实际在市场上，还没有具体见到。
而中国在光刻胶上面，高度依赖进口，按照机构给出的数据，目前在EUV光刻胶上，中国自给率为0，不过目前国内也生产不了7nm及以下的芯片，没有EUV光刻机，也用不上EUV光刻胶。
而在ArF这种用于130nm-14nm芯片光刻胶上，国产的自给率约为1%，99%需要进口。不过近日有媒体报道称，国产的ArF光刻胶已经有突破了，南大光电已经开发了多款ArF光刻胶在下游客户处验证，制程覆盖28nm~90nm，这算是巨大的惊喜了。
而用于250nm-130nm工艺的KrF光刻胶，国产自给率约为5%，也就是说还有95%要进口，不过这一块也不需太过于担心，国产缺的是产能以及市场份额，不是技术，国外卡不住脖子。
在比较落后的g线、i线光刻胶上面，国产率超过20%了，毕竟这种技术门槛不高，之所以没达到100%国产，原因更多的还是产能影响，不是技术。
可见发展中国芯，光刻胶也是需要突破的，EUV暂且不提，国内暂时也用不上。但是ArF光刻胶，它是用于14nm-130nm的光刻胶，是当前最重要的光刻胶之一了，也是国内最需要的光刻胶，我们可不能被国外卡住了脖子，你觉得呢？
原文标题 : 国产光刻胶自给率现状：EUV为0%，ArF为1%，KrF为5%
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